直拉法(CZ法)是將原料多晶硅塊放入應時坩堝中，在單晶爐中加熱熔化，然后將直徑只有12mm的棒狀籽晶(稱為籽晶)浸入熔體中。在合適的溫度下，熔體中的硅原子會沿著固液界面上籽晶的硅原子排列結構形成規則晶體，成為單晶。當籽晶緩慢旋轉并向上提拉時，熔體中的硅原子會繼續在前面形成的單晶上結晶，繼續其規則的原子排列結構。如果整個結晶環境穩定，可以反復形成晶體，最終形成原子排列整齊的圓柱形硅單晶，即硅單晶錠。當結晶加速時，晶體的直徑會變粗，提高上升速度可以使直徑變小，提高溫度可以抑制結晶速度。相反，如果結晶變慢，直徑變小，可以通過降低拉制速度和冷卻來控制。在拉晶開始時，拉出一定長度、直徑為3 ~ 5 mm的窄頸，以消除晶體位錯。這個過程叫做拉晶。然后將單晶直徑放大到工藝要求，進入等徑階段，直到大部分熔硅結晶成單晶錠，只留下少量邊角料。停爐后，取出單晶棒，工序結束。