硅基陶瓷具有最佳的熱膨脹相容性， 在高溫時(shí)具有最低的氧化速率， 比較硬且耐燒蝕。SiC 具有以上優(yōu)點(diǎn)并且原料易得， 當(dāng) 0 2 分壓較高時(shí)， 其氧化產(chǎn)物固態(tài) SiO 2 在 1650 o C 以下是穩(wěn)定的， 形成的玻璃態(tài) SiO 2 薄膜能防止 0 2 進(jìn)一步向內(nèi)層擴(kuò)散。 因此， 在碳／ 碳表面滲上一層 SiC 涂層， 能有效地防止碳／ 碳在高溫使用時(shí)的氧化。 在碳／ 碳表面形成 SiC 涂層的方法有兩種： 一種方法是采用固體擴(kuò)散滲 SiC 工藝， 另一種方法是近年來采用的化學(xué)氣相沉積法。

  此外， 利用硅基陶瓷涂層(SiC、Si 3 C 4 )對(duì)碳／ 碳進(jìn)行氧化防護(hù)， 其使用溫度一般在 1700~1800 o C以下， 高于 1800 o C 使用的碳／ 碳復(fù)合材料的氧化防護(hù)問題還有待研究解決