在現(xiàn)有技術(shù)中，單晶爐是在惰性氣體(主要是氮氣和氦氣)環(huán)境中通過石墨加熱器熔化多晶硅材料并通過直拉法生長無位錯單晶的裝置。將多晶硅加熱熔化，待硅完全熔化后，通過浸籽、焊接、引晶、定肩、轉(zhuǎn)肩、等徑和修整步驟拉制單晶棒。目前單晶拉制過程中，加熱器上邊緣到導流管下邊緣的高度h對單晶拉制影響很大，會影響單晶的成品率。籽晶浸入前，導流管會隨水冷屏一起下降，但達到一定高度后不能繼續(xù)下降。可以看出，熱場設(shè)計一旦完成，加熱器上邊緣到導流管下邊緣的高度是固定的，不利于后續(xù)工藝和熱場優(yōu)化，影響單晶的成品率。